Etude des mécanismes de transfert de structures 3D dans une couche inorganique pour l'optoélectronique

Les dispositifs optoélectroniques tels que les capteurs d’image à base de CMOS (aussi appelés imageurs) nécessitent la fabrication de structures 3D, des microlentilles convexes, afin de faire converger les photons vers les diodes photosensibles qui constituent les pixels. Ces éléments optiques sont indispensables pour le fonctionnement des dispositifs imageurs et leur forme ainsi que leur dimension sont critiques pour les performances. Dans le même ordre d’idée, les dispositifs basés sur l’optique diffractive ainsi que les capteurs hyper-spectraux sont en quête de structures multi-hauteurs complexes à réaliser. Enfin, les nouvelles technologies de micro-displays pour la réalité augmentée (AR) et de réalité virtuelle (VR) requièrent des structures 3D difficiles à réaliser avec les techniques de micro-fabrication conventionnelles.

Le Leti est à la pointe de l’état de l’art mondial sur une méthode innovante de photolithographie, dite par niveau de gris ou Grayscale, qui permet de réaliser toute une gamme de structures 3D dans une résine photosensible. Des formes concaves, ellipsoïdales, pyramidales et asymétriques sont ainsi accessibles. Ces structures complexes pourraient être utilisées pour de nouveaux domaines applicatifs, comme la photonique et les technologies de micro-displays précédemment citées. Une fois ces structures 3D réalisées dans une résine photosensible, il est nécessaire de les transférer par gravure plasma dans une couche fonctionnelle adaptée. Les mécanismes de transfert de structures 3D micrométriques dans une couche de polymère ont été récemment étudiés au Leti. Pour adresser de nouveaux besoins applicatifs, on souhaite désormais transférer ce type de structures 3D dans des couches inorganiques à base de silicium. De plus, ces structures, de plusieurs micromètres jusqu’à présent, tendent désormais vers des dimensions largement inférieures au micromètre. Cet aspect devrait rendre d’autant plus complexe la fidélité de transfert de motifs 3D.

Bien que critique, le transfert de motifs grayscale submicronique dans des couches inorganiques par gravure plasma est très peu été décrit dans la littérature. Cette thématique est de ce fait innovante et a une réelle valeur ajoutée. L’objectif de cette thèse est d’étudier et de comprendre les mécanismes de gravure de structures 3D submicroniques dans des couches inorganiques à base de silicium, telles que l’oxyde de silicium (SiO2) et le nitrure de silicium (SiN). Cela sera aussi l’occasion de répondre à certaines questions laissées en suspens lors des précédentes études. Le travail à réaliser est à très forte dominante expérimentale et se déroulera principalement dans la salle blanche 300mm du Leti. Vous aurez accès à des réacteurs de gravure plasma de dernière génération, ainsi qu’à de nombreux moyens de caractérisations. Cette thèse sera réalisée en étroite collaboration avec le service photolithographie du Leti et en interaction avec ses différentes équipes, telles que la plateforme silicium et les départements applicatifs.

Développement d’algorithmes et d’outils de modélisation pour des mesures de CD-SAXS à basse énergie

Le CEA–LETI est un des acteurs Européen principaux de l’industrie des semi-conducteurs. Avec sa plateforme de nano-caractérisation (PFNC) à Grenoble, il dispose d'un environnement de pointe avec un vaste éventail d'équipements à l'état de l'art. Nos équipes ont pour vocation d’accompagner le développement de nouveaux outils de caractérisation pour anticiper les besoins industriels (notamment autour des futurs nœuds technologiques). Ainsi, des travaux pionniers ont été réalisés autour du CD-SAXS sur la PFNC ces dernières années. Cette technique de diffusion/diffraction des rayons X permet de mesurer avec une précision sub-nanométrique les dimensions des nano-structures gravées dans les salles blanches du LETI. Dans le cadre de ce projet, nous proposons d’étendre l’approche CD-SAXS en utilisant les récents développements autour des sources basse-énergie de laboratoire (A. Lhuillier et al. 1988, prix Nobel 2023) appelées High Harmonics Generation (HHG) sources. Votre rôle sera de mettre en place les outils d'analyse spécifiques au développement de l’approche CD-SAXS à basse énergie. La première preuve de concept a été réalisée en Novembre 2023.

Mission:
Afin de prendre en compte dans la réduction de données les spécificités de cette nouvelle approche (multi longueur d'onde, basse énergie…), votre mission se concentrera sur plusieurs tâches:
- Développer différents outils numériques pour le traitement de données :
o Simulations éléments finis avec solver Maxwell
o Transformée de Fourier analytique (similaire au CD-SAXS)vs théorie dynamique
o Comparaison des différentes approches de simulations
- Construire et tester des modèles dédiés aux problématiques en lithographie(CD, overlay, rugosité)
- Définir les limitations de la technique par des simulations (notamment la résolution spatiale, les incertitudes de mesures);
Ce travail viendra compléter le développement expérimental de mesures de CD-SAXS avec une source de laboratoire HHG réalisée en parallèle par un postdoctorant.

Etude thermomécanique des hétérostructures en fonction des conditions de collage

Pour de nombreuses applications industrielles, l'assemblage de plusieurs structures est l'une des étapes clés du processus de fabrication. Cependant, ces étapes sont généralement difficiles à réaliser, car elles conduisent à des augmentations significatives des déformations. La maîtrise des contraintes générées par les hétérostructures est donc impérative. Nous proposons d'aborder ce sujet en utilisant à la fois des méthodes expérimentale et des outils de simulation afin de prédire et d'anticiper les problèmes dus aux fortes déformations

Développement d’un flow de data préparation de lithographique 3D pour le dessin du masque freeform

Avec l’avancement des technologies optoélectroniques, notamment des imageurs et AR/VR, des géométries 3D de dimensions sub-micrométriques sont plus en plus demandées par les clients industriels. Pour fabriquer ces structures 3D, la lithographie « grayscale » avec UV profond (248nm ou 193nm) est une technologie prometteuse compatible avec la production industrielle. Par contre, la maîtrise de cette technologie est complexe et nécessite un modèle de lithographie (optique + résine) avancée pour prédire le dessin du masque optique utilisé. La thèse permettra d’améliorer notre compréhension de nos model lithographie grayscale et ses limite, ayant pour d’améliorer et d’optimiser la model et la flow de data préparation ou masque design pour diminuer l’ecart entre simulation et pattern fabriquée. Masque freeform poussera les limites de lithographie grayscale pour attendre de pitch plus agressive souhaiter pour l’application optique et optoélectronique.

Epitaxie sélective basse température du SiGe(:B) pour les transistors pMOS FD-SOI

Dans le cadre de l’évolution des technologies silicium pour la microélectronique, les procédés mis en jeu dans la fabrication des dispositifs se doivent d'être optimisés. Plus précisément, l'épitaxie, technique de croissance cristalline, est utilisée pour fabriquer des transistors FD-SOI (Fully Depleted-Silicon On Insulator) au nœud technologique 10 nm dans le cadre du projet NextGen au CEA-Leti. Une épitaxie de semi-conducteurs de type Si et SiGe dopée ou non est développée afin d’améliorer les performances électriques des dispositifs. Le travail de thèse portera sur les épitaxies sélectives du SiGe(:B) pour les canaux et les sources/drains des transistors pMOS. Une comparaison des cinétiques de croissances du SiGe et du SiGe:B sera faite entre les croissances sous gaz porteur H2, couramment employé et le gaz porteur N2. Des stratégies innovantes de dépôt/gravure cyclées (CDE) seront également évaluées, l’objectif étant d’abaisser la température du procédé.

Analyse de surface avancée des materiaux ferroélectriques pour des applications mémoire

Le CEA-Leti possède un solide historique en matière de technologie de la mémoire. Ce projet de doctorat contribuera au développement de dispositifs ferroélectriques à base de HfO2. L'un des principaux défis consiste à stabiliser la phase orthorhombique tout en réduisant l'épaisseur du film et le budget thermique. Pour comprendre les mécanismes en jeu, une nouvelle méthode de préparation d'échantillons sera adaptée d'un projet de doctorat précédent et développée pour être utilisée sur des mémoires ferroélectriques. Cette méthode consiste à créer une coupe en biseau qui expose toute l'épaisseur du film, le rendant accessible par plusieurs techniques (XPS, TOF-SIMS, SPM) sur la même zone. Cela permettra de corréler les mesures compositionnelles et chimiques avec les propriétés électriques. Le chauffage et la polarisation à l'intérieur d'instruments de caractérisation de surface avancés (TOF-SIMS, XPS) fourniront des informations sur la manière dont les performances des dispositifs sont affectées par les changements compositionnels et chimiques.

Vous avez de bonnes compétences expérimentales et êtes intéressé par les instruments d'analyse de surface de pointe. Vous aimez travailler en équipe et aurez la possibilité d'interagir avec des experts dans un large éventail de techniques sur la plateforme de nanocaractérisation, y compris le traitement avancé des données numériques. Des compétences en programmation avec Python ou un langage similaire sont un atout.

Matériaux ALD pour les capacitances ferroélectriques FE et antiferroelectriques AFE

Les matériaux HfO2 ultrafins sont des candidats prometteurs pour les mémoires non volatiles embarquées (eNVM) et les dispositifs logiques. Le CEA-LETI occupe une position de leader dans le domaine des mémoires BEOL-FeRAM ultra-basse consommation (<100fj/bit) à basse tension (<1V). Les développements envisagés dans cette thèse visent à évaluer l'impact des couches ferroélectriques FE et antiferroélectriques AFE à base de HfO2 (10 à 4 nm fabriquées par dépôt de couches atomiques ALD) sur les propriétés et les performances des FeRAM.
En particulier, le sujet se propose d’apporter une compréhension approfondie des phases cristallographiques régissant les propriétés FE/AFE en utilisant des techniques de mesures avancées offertes par la plateforme de nano-caractérisation du CEA-LETI (analyses physico-chimiques, structurales et microscopiques, mesures électriques). Plusieurs solutions d'intégration pour les capacités ferroélectriques FeCAPs utilisant des couches ALD FE/AFE seront étudiées, notamment le dopage, les couches d'interface, la fabrication séquentielle avec ou sans air break…
Les capacitances FeCAPs, dont l’empilement de base est exclusivement fabriqué par ALD, seront exploitées pour explorer les points suivants :
1-Incorporation de dopage dans les couches FE/AFE (La, Y…)
2-Ingénierie de l'interface entre les couches FE/AFE et l'électrode supérieure/inférieure
3-Traitement plasma in situ de la surface de l'électrode inférieure
4-Dépôt séquentiel avec et sans air break

[1] S. Martin et al. – IEDM 2024
[2] Appl. Phys. Lett. 124, 243508 (2024)

Matériaux SCO&FE par ALD pour les transistors FeFET

Le Transistor à effet de champ ferroélectriques FeFET est un composant mémoire haute densité adapté aux configurations 3D-DRAM. Le concept FeFET combine l’utilisation des oxydes semi-conducteurs comme matériau de canal et des oxydes métalliques ferroélectriques FE comme grille de transistor [1, 2, 3]. Le dépôt de couches atomiques ALD de matériaux SCO et FE à très faible épaisseur (<10 nm) et à basse température (10 cm2.Vs) ; ultra-minces (<5 nm) et ultra-conformes (rapport d'aspect 1:10). Le doctorant bénéficiera du riche environnement technique de la salle blanche 300/200 mm du CEA-LETI et de la plateforme de nano-caractérisation (analyses physico-chimiques, structurales et microscopiques, mesures électriques).
Les développements porteront sur les points suivants :
1-Comparaison de couches SCO (IGZO Indium Gallium Zinc Oxide) fabriquées par techniques ALD et PVD : mise en œuvre de techniques de mesures et de véhicules de test adaptés
2-Caractérisation intrinsèque et électrique des couches ALD-SCO (IWO, IGZO, InO) et ALD-EF (HZO) : stœchiométrie, structure, résistivité, mobilité….
3-Co-intégration de couches ALD-SCO et ALD-FE pour structures FeFET 3D verticales et horizontales

[1]10.35848/1347-4065/ac3d0e
[2]https://doi.org/10.1109/TED.2023.3242633
[3]https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.3c02223

Etude des mécanismes de gravure directe du métal pour le BEOL des nœuds ultimes sur SOI

Le sujet s’inscrit dans le déploiement des technologies silicium au niveau européen (European Chips Act) porté par le CEA-Leti. Le sujet se focalisera notamment sur la mise à disposition de briques technologiques avancées pour le routage électrique (Back End of Line) des dispositifs logiques et analogiques.
La mise au point de circuits toujours plus performants requiert des interconnexions aux dimensionnels de plus en plus agressifs. L’utilisation de matériaux traditionnels de routage comme le cuivre est alors remise en question, de même que l’architecture des briques de back-end of line (BEOL). Ce sujet de thèse apporte une approche en rupture, nécessaire afin d’adresser ces dimensionnels ultimes.
L’objectif de cette thèse est donc de développer une brique technologique BEOL pour les nœuds avancés par gravure directe du métal. Après une simulation préalable des propriétés électriques des interconnexions réalisées avec différents métaux, le travail consistera à proposer et réaliser une intégration innovante. Il s’agira dans une première phase de définir le design des structure de test électrique et d’établir un schéma d’intégration. Ensuite, le travail se concentrera sur l’étude de la gravure directe du métal sélectionné en utilisant des procédés écoresponsables, tout en préservant les performances des procédés et du dispositif final. Le.la candidat.e pourra s’appuyer sur la cellule Eco-innovation pour réaliser une analyse du cycle de vie (ACV) comparative de cette brique.
Le contrat de thèse est d’une durée de 3 ans et se déroulera dans les salle-blanche du CEA-Leti. Pour mener à bien cette étude, le.la candidat.e aura à sa disposition des équipements de derrière génération et un environnement de travail de pointe.

Étude de résines grayscales et optimisation des procédés de lithographie pour des applications optiques sub-microniques

La photolithographie grayscale est un procédé utilisé depuis plusieurs dizaines d'années pour la réalisation de structures tridimensionnelles sur des substrats semiconducteurs, en particulier dans les domaines de l'optique et de l'opto-électronique. Cette technologie permet de réaliser des motifs 3D facilement transférables à l'industrie, grace à l'utilisation d'équipements de lithographie.
Après avoir atteint une forte expertise sur la réalisation de structures 3D supérieurs au micron grace à l'utilisation d'équipements d'insolation en I-line (365nm), le LETI souhaite développer son expertise grayscale dans l'UV profond (248nm, 193nm et 193nm immersion) afin d'atteindre des motifs submicroniques avec pour objectif l'état de l'art mondial.
Cette thèse sera consacrée à l'amélioration des connaissances physico-chimiques des nouvelles résines grayscales, dans le but d'améliorer les performances des procédés de lithographie mais également de prévoir le développement des gravures associées et des nouveaux modèles optiques pour les masques.
Vous rejoindrez l'équipe du laboratoire de lithographie du CEA-LETI, et serez également amené à échanger avec d'autres équipes (gravure, simulation optique). Vous aurez accès aux équipements de pointes installés dans les salles blanches, ainsi qu'à une plate-forme de nano-caractérisation pour mener à bien ces travaux de thèse dans une forte dynamique expérimentale.

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