Intelligence Artificielle pour la Modélisation et l'Analyse Topographique des Puces Électroniques
L’inspection des surfaces de wafers est cruciale en microélectronique pour détecter les défauts affectant la qualité des puces. Les méthodes traditionnelles, basées sur des modèles physiques, sont limitées en précision et en temps de calcul. Cette thèse propose d’utiliser l’intelligence artificielle (IA) pour caractériser et modéliser la topographie des wafers, en exploitant des techniques d’interférométrie optique et des modèles avancés.
L’objectif est de développer des algorithmes d’IA capables de prédire les défauts topographiques (érosion, dishing) avec une haute précision, en s’appuyant sur des architectures comme les réseaux de neurones convolutifs (CNN), les modèles génératifs ou les approches hybrides. Les travaux incluront l’optimisation des modèles pour une inférence rapide et une généralisation robuste, tout en réduisant les coûts de fabrication.
Ce projet s’inscrit dans une démarche d’amélioration des procédés de microfabrication, avec des applications potentielles dans l’industrie des semi-conducteurs. Les résultats attendus contribueront à une meilleure compréhension des défauts de surface et à l’optimisation des processus de production.
Développement du 4D-STEM à inclinaisons variables
Le développement du 4D-STEM (Scanning Transmission Electron Microscopy) a profondément renouvelé la microscopie électronique en transmission (TEM), en permettant l’enregistrement simultané d’informations spatiales (2D) et de diffraction (2D) à chaque position du faisceau. Ces jeux de données dits « 4D » offrent la possibilité d’extraire une grande variété de contrastes virtuels (imagerie en champ clair, champ sombre annulaire, ptychographie, cartographies de déformation ou d’orientation) avec une résolution spatiale nanométrique.
Dans ce contexte, le 4D-STEM à inclinaisons variables (4D-STEMiv) constitue une approche émergente, qui consiste à acquérir séquentiellement des motifs de diffraction électronique pour différentes inclinaisons du faisceau incident. Conceptuellement proche de la microscopie à précession électronique (PED), cette méthode offre une flexibilité accrue et ouvre de nouvelles perspectives : amélioration du rapport signal/bruit, possibilité d’obtenir une imagerie bidimensionnelle rapide à plus haute résolution spatiale, accès à une information tridimensionnelle (orientation, déformation, phase) et optimisation du couplage avec les analyses spectroscopiques (EELS, EDX). Le développement du 4D-STEMiv représente ainsi un enjeu méthodologique majeur pour la caractérisation structurale et chimique de matériaux avancés, notamment dans le domaine des nanostructures, des matériaux bidimensionnels et des systèmes ferroélectriques.
Réalisation de metasurface par auto-assemblage de copolymères à blocs
Les copolymères à blocs (BCP) sont une technologie en pleine expansion industrielle, offrant des perspectives prometteuses pour la nanostructuration de matériaux. Ces polymères, constitués de chaînes de blocs chimiquement distincts, s'auto-assemblent pour former des structures ordonnées à l'échelle nanométrique. Cependant, leur utilisation actuelle est limitée à une nanostructuration spécifique par produit (1 produit = 1 nanostructuration), restreignant ainsi leur potentiel d'application.
Cette thèse propose de développer une méthode innovante pour créer plusieurs motifs en une seule étape d'auto-assemblage des BCP grâce à un mélange de deux produits. L'étudiant(e) s'intéressera également au contrôle de la localisation des motifs en utilisant la chemoepitaxie, une technique combinant le guidage chimique et morphologique pour contrôler précisément la position des motifs à l’échelle micrométrique et nanométrique. Le travail se déroulera en plusieurs étapes : compréhension des mécanismes des copolymères à blocs mélangés, développement de substrats fonctionnalisés pour la chemoepitaxie en utilisant des techniques de lithographie avancées, et réalisation d'expériences d'auto-assemblage des BCP sur ces substrats. Les structures obtenues seront analysées grâce aux équipements de métrologie disponibles au CEA-Leti.
Les applications visées incluent la création de nanostructures capables d'interagir avec la lumière, réduisant la diffraction et contrôlant la polarisation. Les résultats attendus incluent la démonstration de la capacité à générer plusieurs types de motifs en une seule étape d'auto-assemblage, avec un contrôle précis de leur position et de leurs dimensions.