Qui sommes-nous ?
Espace utilisateur
Formation continue
Credit : L. Godart/CEA
D’un jour à plusieurs semaines, nos formations permettent une montée en compétence dans votre emploi ou accompagnent vers le retour à l’emploi. 
Conseil et accompagnement
Crédit : vgajic
Fort de plus de 60 ans d’expériences, l’INSTN accompagne les entreprises et organismes à différents stades de leurs projets de développement du capital humain.
Thèses
Accueil   /   Thèses   /   L'impact des défauts intrinsèques et extrinsèques sur le Ron dynamique et sur off-state courants de fuite des transistors latéraux à base de GaN pour la puissance

L'impact des défauts intrinsèques et extrinsèques sur le Ron dynamique et sur off-state courants de fuite des transistors latéraux à base de GaN pour la puissance

Défis technologiques Matériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectronique Physique de l’état condensé, chimie et nanosciences Physique du solide, surfaces et interfaces

Résumé du sujet

Le dopage intentionnel de transistors latéraux à haute mobilité électronique (HEMT) de puissance GaN avec des impuretés de carbone (C) est une technique courante pour réduire la conductivité du buffer et augmenter le claquage de tension. Cependant, cela se fait au prix d'une augmentation des défauts intrinsèques ainsi que d'une dégradation de la résistance dynamique (Ron) et d'effets d'effondrement du courant.
Le but de ce projet est de comparer les performances de dispositifs HEMT contenant différentes quantités de défauts extrinsèques (tels que les atomes de C) et de défauts intrinsèques (tels que les dislocations), en fonction des conditions de croissance pour guider vers une structure buffer optimisée avec une bonne dynamique de Ron et faible fuite verticale simultanément.

Laboratoire

Département des Plateformes Technologiques (LETI)
Service Matériaux et Technologie pour la Photonique (1)
Laboratoire des Matériaux pour la photonique
Top envelopegraduation-hatlicensebookuserusersmap-markercalendar-fullbubblecrossmenuarrow-down