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Simulation de dynamique moléculaire du changement de phase dans les matériaux GeSbTe enrichis en Ge

Défis technologiques Matériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectronique Simulation numérique

Résumé du sujet

L’objectif de cette thèse est d’étudier les changements de phase dans des alliages GST enrichis en Ge par le biais de simulations de dynamique moléculaire (MD) avec es potentiels interatomiques basés sur des réseaux de neurones à graphe équivariants. Le(la) candidat(e) sera amené(e) à entrainer un modèle sur des calculs ab initio de référence sur des matériaux GST enrichis en Ge afin de décrire les phases amorphes et cristallines. Le potentiel sera ensuite utilisé afin de calculer des propriétés thermodynamiques et cinétiques des transitions de phase. Dans un deuxième temps, des développements complémentaires seront menés afin d’inclure l’impact des impuretés et d’un champ électrique sur le changement de phase. Finalement les simulations de MD seront utilisées pour calculer des paramètres physiques afin d’améliorer un modèle mésoscopique basé sur la méthode du champ de phase.

Laboratoire

Département Composants Silicium (LETI)
Service Caractérisation, Conception et Simulation
Laboratoire de Simulation et Modélisation
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