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Développement d'un pseudo-substrat relaxé à base d'InGaN porosifié par anodisation électrochimique
Défis technologiquesMatériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectroniquePhysique de l’état condensé, chimie et nanosciencesPhysique du solide, surfaces et interfaces
Résumé du sujet
Dans le cadre du projet Carnot PIRLE débutant début 2021, nous recherchons un(e) candidat(e) pour un poste de post-doctorat d’une durée de 24 mois (12 mois renouvelable) avec une spécialité en matériaux. Le projet consiste à développer un pseudo-substrat relaxé à base de matériaux III-N pour les applications µLEDs, notamment pour l’émission dans le rouge. Le travail consistera principalement à développer un procédé MOCVD de reprise d’épitaxie à base d’InGaN sur un substrat innovant à base de matériaux anodisés et relaxé. Il devra à la fois caractériser le niveau de relaxation de la couche ré-épitaxiée mais aussi sa qualité cristalline. Ces deux points favoriseront la reprise d’épitaxie d’une LED rouge efficace. Le(la) candidat(e) fera partie de l’équipe projet et sera associé aux travaux de l’équipe épitaxie sur le procédé de croissance de la LED rouge et aux caractérisations optiques et électro-optiques associées.
Laboratoire
Département des Plateformes Technologiques (LETI)
Service Matériaux et Technologie pour la Photonique (1)