Les transistors grand gap (GaN, SiC) jouent un rôle clé dans l’électronique de puissance, mais leur intégration industrielle reste freinée par des difficultés de mise en œuvre. Le composant 'high-side', au sein d’une structure en bras de pont, est particulièrement sensible aux transitoires de tension et de courant, lesquels dépendent fortement du routage, de la topologie et des modes de commutation (ZVS, ZCS). Son caractère flottant rend les mesures complexes et peut perturber les commutations lors des essais applicatifs. Une méthodologie adaptée aux transitoires rapides a été développée lors d’une thèse, aboutissant à un banc de test breveté pour la caractérisation des composants 'low-side'. Le sujet du post-doctorat présenté ici vise à adapter cette méthodologie aux composants 'high-side' qui sont plus complexe à piloter et mesurer, afin de caractériser et modéliser le vieillissement dû aux transitoires de grille dans des conditions réalistes. Le banc de test permettra de générer des profils de stress reproductibles sur 'low-side' et 'high-side', et de mesurer précisément des paramètres clés comme la tension de seuil ou les instabilités dynamiques. Pour atteindre ces objectifs, un nouveau banc sera conçu, intégrant une commande spécifique et des systèmes de mesure adaptés, en vue de tests applicatifs et d’essais de vieillissement ciblés.