Les qubits de spin dans les structures CMOS à base de silicium se démarquent par leur compatibilité avec les technologies de semi-conducteurs et leur potentiel de mise à l'échelle. Toutefois, les impuretés et les défauts introduits lors de la fabrication, entraînent du bruit et de l'instabilité, ce qui affecte leurs performances.

L'objectif est de caractériser des dispositifs fabriqués au CEA-Leti, de la température ambiante à cryogénique, pour évaluer leur qualité et comprendre les mécanismes physiques responsables de leur instabilité. Le but est d'améliorer la conception des dispositifs et idéalement de mettre en place une méthode d'identification des dispositifs les plus prometteurs sans nécessiter des mesures à très basses températures.

Le candidat devra avoir des compétences dans les domaines suivants :
- Physique expérimentale et des semi-conducteurs.
- Programmation d'algorithmes et analyse de données.
- Connaissance en nano-fabrication, physique des basses températures et physique quantique (souhaitable).