Le contrôle et la manipulation de l'information quantique au travers des technologies avancées de la nanoélectronique est un défi majeur pour le CEA-LETI et ses partenaires. Un objectif clef du projet est de réussir à intégrer des dispositifs quantiques au sein de la technologie Fully Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI) développée sur la plateforme 300 mm du LETI. Le succès de cette intégration dépend en partie des avancées sur les interconnexions supraconductrices, ces dernières permettant de délivrer un courant supraconducteur aux dispositifs quantiques.

Le schéma d'intégration visé repose sur un brevet déposé par le CEA-LETI, dont la première application a concerné des interconnexions en TaN/TiN. La température critique (Tc) de ces matériaux étant relativement faible (~ 1K), des matériaux à plus fortes Tc sont visés au travers de ce post-doc (ZrN, HfN, NbTiN). Par l'intermédiaire d'une approche de gravure directe, le post-doc étudiera l'influence des étapes du procédé sur la supraconductivité des interconnexions. L'effet de la dimension des interconnexions sur la température critique et de la densité de courant sera également étudié.