Pour les applications communication optique et affichage (display, AR/VR), le besoin de micro-écrans par µLEDs GaN très résolus devient de plus en plus important. La formation du pixel constitue la brique critique car elle génère des défauts sur les flancs des µLED, qui limitent les performances d’émission du dispositif. Ces dégradations ont encore plus d’impacts sur les performances électro-optiques pour des pitch LED agressifs.
Le sujet propose une approche complète, allant du développement de nouvelles stratégies de gravures GaN limitant l’endommagement des flancs du pixel, jusqu’à sa caractérisation au travers de moyens directs dédiés, et validés sur dispositif complet par un véhicules de tests électrooptique.