Qui sommes-nous ?
Espace utilisateur
Formation continue
Credit : L. Godart/CEA
D’un jour à plusieurs semaines, nos formations permettent une montée en compétence dans votre emploi ou accompagnent vers le retour à l’emploi. 
Conseil et accompagnement
Crédit : vgajic
Fort de plus de 60 ans d’expériences, l’INSTN accompagne les entreprises et organismes à différents stades de leurs projets de développement du capital humain.
Thèses
Accueil   /   Post Doctorat   /   Caractérisation électrique et modélisation physique des mémoires à changements de résistance (OxRAM, RRAM)

Caractérisation électrique et modélisation physique des mémoires à changements de résistance (OxRAM, RRAM)

Electronique et microélectronique - Optoélectronique Instrumentation Sciences pour l’ingénieur

Résumé du sujet

Laboratoire

Département Composants Silicium (LETI)
Service des Composants pour le Calcul et la Connectivité
Laboratoire de Caractérisation et Test Electrique
Top envelopegraduation-hatlicensebookuserusersmap-markercalendar-fullbubblecrossmenuarrow-down