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Conception d’un circuit intégré de puissance en GaN sur Si, caractérisation, mise en oeuvre

Electronique et microélectronique - Optoélectronique Energie, thermique, combustion, écoulements Sciences pour l’ingénieur

Résumé du sujet

L’objectif est de proposer une solution innovante permettant d’alimenter une électronique basse tension (3 à 12VDC) ou de charger des accumulateurs, à partir de tensions alternatives industrielles (230VAC/400VAC). Ce type de dispositif devrait bénéficier fortement de l’apport des technologies de passifs intégrés et des possibilités offertes par les ASIC développés au Leti, en particulier les ASIC en GaN. Ce programme de recherche s’inscrit dans la ‘’roadmap puissance’’ du Leti. A partir de l’état de l’art et de concepts envisagés par des chercheurs du CEA, le post-doctorant devra imaginer une solution originale, en faire la conception, puis caractériser le système ainsi réalisé. Le programme de recherche implique d’autres partenaires académiques ce qui permet au post-doctorant de s’immerger dans un contexte de recherche amont. Une application industrielle a été identifiée. Le post-doctorant sera encouragé à enrichir le sujet par des fonctions additionnelles au niveau du contrôle (régulation) à très hautes fréquence, de la transmission de signaux isolés via le convertisseur ou tout autre sujétion

Laboratoire

Département Composants Silicium (LETI)
Service Caractérisation, Conception et Simulation
Laboratoire des circuits intégrés pour la Gestion de l'Energie, les Capteurs et Actionneurs
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