Le sujet de post-doctorat porte sur l'étude des effets thermiques et performances électriques dans les transistors MOSFET FDSOI à très basse température pour des applications cryogéniques, comme les ordinateurs quantiques ou encore les applications spatiales. L'objectif est de modéliser et caractériser la technologie 28FDSOI de STMicroelectronics jusqu’à 4K et en dessous, en se concentrant sur l'auto-échauffement et ses impacts sur les performances des circuits. Les travaux incluent des mesures DC et RF, l'étude de l'effet de la tension de face arrière, et l'exploration des couplages thermiques, et la modélisation associée. Le projet vise également à intégrer ces modèles dans un PDK (Process Design Kit) valide à 4K, afin d’optimiser les circuits opérants à très basse température. Ce travail s'inscrit dans le cadre du projet IRT Qloop, en collaboration avec STMicroelectronics. Les résultats contribueront à l'avancement de l'électronique Cryo-CMOS et à la réalisation d'ordinateurs quantiques performants.