En environnement radiatif, les effets de déplacements atomiques peuvent entrainer la dégradation des performances des composants électroniques et optoélectroniques. Dans les semiconducteurs constituant ces composants, ils créent des défauts à l’échelle atomique, qui modifient le nombre de porteurs libres et donc altérent les performances du composant.
Afin de mieux comprendre les phénomènes physiques à l’origine de ces dégradations, les effets de déplacement sont bien reproduits par simulation à l’aide de méthode de dynamique moléculaire classique. Néanmoins, une compréhension plus fine de l’influence de la structure électronique du matériau sur le nombre de défauts créés lors de la cascade de déplacement est nécessaire pour avoir des simulations précises. Pour cela, un modèle nommé électron-phonon EPH a été développé. L’objectif de ce post-doctorat sera de nourrir ce modèle avec des calculs ab initio puis de le paramétrer afin d’effectuer des simulations de dynamique moléculaire pour plusieurs semiconducteurs utilisés dans les technologies microélectroniques actuelles. Les résultats obtenus serviront à mieux comprendre et améliorer si besoin le modèle EPH.