Une thèse actuellement dans le laboratoire a permis de démontrer l’intérêt du report d’un HEMT de puissance en GaN sur une embase métallique en cuivre vis-à-vis du self heating sans dégrader la tenue en tension du composant.
Il y a encore beaucoup de points à étudier pour améliorer au mieux les composants de puissance.

Actuellement des labos comme l’IEMN, HKUST et MIT s’intéressent à ce procédé et étudient des solutions connexes.

Nous proposons de comprendre quelle est la meilleure intégration à faire pour éliminer le self-heating et augmenter la tenue en tension du composant initial. L’impact sur la polarisation du GaN et sur la qualité du gaz 2D sera analysée.
La même approche pourra être faite si besoin sur les composants RF.
Différents empilements seront réalisés par le post-doc et il aura en charge de réaliser les caractérisations électriques. La compréhension du rôle de chaque partie de la structure sera primordiale pour décider de l’empilement final.
Ce procédé sera également amené en grandes dimensions.
Ce post-doc travaillera si besoin en collaboration avec les différentes thèses sur les composants de puissance.