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Simulation de nanofils semi-métalliques

Physique de l’état condensé, chimie et nanosciences Physique du solide, surfaces et interfaces

Résumé du sujet

La mission du candidat sera :
• Simulation utilisant des outils ab-initio de la structure de bandes de nanofils de bismuth de différent diamètres (de 1 nm à 10 nm).
• Extraction de paramètres tes que masses effectives, densité d’états, band offsets pour ces nanofils.
• Implémentation de ces paramètres dans un simulateur NEGF pour simuler des transistors en nanofils de bismuth à diamètre variable.
• Simulation ab-initio de l’interface nanofil de bismuth – diélectrique et étude de différents éléments de passivation chimique.
• Ce travail se fera en collaboration avec le groupe LETI/DCOS/SCME/LSIM (Philippe Blaise)
• Le candidat interagirera avec une équipe expérimentale qui fabriquera les dispositifs simulés et sera amené à aider à encadrer un ou plusieurs doctorants, en collaboration avec IMEP.
• Le candidat interagirera avec le LTM pour les aider à prédire les propriétés de l’interface bismuth-isolant de grille et pour implémenter dans le simulateur les résultats de mesures sur ces interfaces (IMEP).

Laboratoire

Département Composants Silicium (LETI)
Service des Composants pour le Calcul et la Connectivité
Laboratoire Dispositifs Quantiques et Connectivité
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