L’étude de l’émission optique de centres profonds dans les semiconducteurs est devenu un sujet important dans le cadre général du traitement quantique de l’information et des nano-capteurs, l’émetteur le plus étudié étant le centre N-V du diamant. Récemment, le potentiel de défauts dans de nouveaux matériaux a été évalué, par exemple dans le GaN et le BN. Par contre, le potentiel de l’AlN pour ces applications n’a encore que très peu été exploré, malgré les nombreux avantages que ce matériau présente : il peut être épitaxié, des substrats bulk de haute qualité sont disponibles, il peut être gravé pour former des microcavités de haute qualité optique.
Dans ce post-doc de 12 mois, nous proposons d’explorer les propriétés optiques de centres profonds dans l’AlN. Nous étudierons en particulier par microphotoluminescence et luminescence résolue en temps différents types d’AlN : couches minces d’AlN sur silicium, couches plus épaisses d’AlN sur saphir, des ensembles de nanofils et des nanofils uniques.